Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Johanna Schwarz
Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Die Fälle betreffen die unberechtigte Nutzung von Galliumnitrid-Technologien (GaN), die von Infineon patentiert wurden. Dies ist bereits die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in einer Reihe von Streitigkeiten um das geistige Eigentum von Infineon.
Das Gericht befand Innoscience der Verletzung von Infineons GaN-Patenten für schuldig. In der Folge ist es dem chinesischen Unternehmen nun untersagt, die patentverletzenden GaN-Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten. Zudem verurteilte das Gericht Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, erklärte, das Urteil unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Er betonte das Engagement des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu verteidigen. Gerichte und Behörden in Deutschland und den USA hatten zuvor bereits festgestellt, dass Produkte von Innoscience Patente von Infineon verletzen.
Infineon hält rund 450 GaN-Patentfamilien und festigt damit seine Position als führender Anbieter von integrierten Bauelementen im GaN-Markt. Das Unternehmen setzt weiterhin auf Innovation und die Weiterentwicklung von Halbleitertechnologien, um globale Herausforderungen zu bewältigen.
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Die Entscheidung stärkt den rechtlichen Schutz von Infineons GaN-Innovationen. Innoscience muss nun die gerichtlichen Auflagen einhalten und Infineon für die Patentverletzung entschädigen. GaN-Technologie bleibt entscheidend für die Entwicklung hochleistungsfähiger und energieeffizienter Stromversorgungssysteme in verschiedenen Branchen.
